国家知识产权局信息显示，润新微电子（大连）有限公司申请一项名为“一种耗尽型GaN器件及HEMT级联型器件”的专利，公开号CN121038321A，申请日期为2025年10月。专利摘要显示，本发明属于半导体技术领域，具体公开一种耗尽型GaN器件及HEMT级联型器件，耗尽型GaN器件包括源电极、漏电极、栅电极以及由下至上依次设置的衬底、叠层结构和介质层，栅电极的顶部具有沿其周向交错排布的第一功能区和第二功能区，第一功能区和第二功能区均具有多个，第一功能区的阈值电压的绝对值大于第二功能区的阈值电压的绝对值且阈值电压小于0，位于栅电极顶部的所有第一功能区与第二功能区整体在栅电极上的正投影与栅电极重合。本发明的耗尽型GaN器件，有利于优化跨导，改善级联型器件中耗尽型GaN器件与低压MOS器件之间的开关速度的匹配问题，使其不易出现震荡、电磁干扰以及炸管问题，有效提升效率及器件的可靠性。

　　天眼查资料显示，润新微电子（大连）有限公司，成立于2016年，位于大连市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本13097.1707万人民币。通过天眼查大数据分析，润新微电子（大连）有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目21次，财产线条，此外企业还拥有行政许可18个。

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